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微纳电子技术杂志

微纳电子技术杂志 北大期刊统计源期刊

预计1-3个月 下单时间

0.45 影响因子

科技 快捷分类

1792 发文量

5430 总被引次数

21 H指数

0.0139 立即指数

4.2639 引用半衰期

0.9041 期刊他引率

16.2222 平均引文率

中国电子科技集团公司

1964

半导体情报

中国电子科技集团公司第十...

无线电电子学

1671-4776

月刊

050002

13-1314/TN

中文

李和委

预计1-3个月

18-60

200

¥244.00

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微纳电子技术杂志简介

《微纳电子技术》杂志(CN:13-1314/TN)内容丰富、思想健康,自1964年创刊起,以月刊形式发行,刊物对外积极扩大宣传,致力于提高杂志质量与影响。

《微纳电子技术》创刊两年内被国内各大数据库全文收录,创刊5年内被国外五家著名检索机构收录,2006年进入中国科技核心期刊行列,2008年进入《中文核心期刊要目总览》无线电电子学、电信技术类核心期刊,并再次获工业和信息化部2007-2008年度电子科技期刊学术技术水平优秀奖。

微纳电子技术发文方向

专家论谈纳米器件与技术纳米材料与纳料结构MEMS器件与技术显微测量微细加工技术与设备企业与人物追踪业界快讯

微纳电子技术杂志特色

①文题应具体、确切,高度概括文章并应使用规范术语。文题一般不超过20个汉字,应避免使用非公知公用的外来语、缩写词、代号、符号等。

②来稿请注明作者职称、毕业时间和学校、所学专业。注明联系人详细通信地址、联系电话和电子邮箱。

③注释是对文中某一内容的解释或补充说明,用数字加圆圈标注(如①、②……)置于文末。

④来稿中有图表、图片的,要确保图表、图片的客观性和清晰性。

⑤稿件需严格遵循学术规范,严禁抄袭、造假、侵权等行为,文责自负。

杂志收录与荣誉

北大期刊(中国人文社会科学期刊)
统计源期刊(中国科技论文优秀期刊)
知网收录(中)
维普收录(中)
万方收录(中)
CA 化学文摘(美)
SA 科学文摘(英)
Pж(AJ) 文摘杂志(俄)
国家图书馆馆藏
上海图书馆馆藏
文摘杂志
Caj-cd规范获奖期刊
中国优秀期刊遴选数据库
中国期刊全文数据库(CJFD)
中国学术期刊(光盘版)全文收录期刊
中国科技期刊优秀期刊
北大图书馆收录期刊

微纳电子技术杂志数据统计注:由于版面限制,此处仅列出部分数据信息,了解详情请联系客服 了解详情 >>

年度期刊评价报告 (本刊综合数据对比及走势)
名词解释:

影响因子:指该期刊近两年文献的平均被引用率,即该期刊前两年论文在评价当年每篇论文被引用的平均次数

被引半衰期:衡量期刊老化速度快慢的一种指标,指某一期刊论文在某年被引用的全部次数中,较新的一半被引论文刊载的时间跨度

期刊他引率:他引率是指,此期刊被引用次数中,被其他刊引用次数所占的比例

引用半衰期:指某种期刊在某年中所引用的全部参考文献中较新的一半是在最近多少年时段内刊载的

平均引文率:在给定的时间内,期刊篇均参考文献量,用以测度期刊的平均引文水平,考察期刊吸收信息的能力以及科学交流程度的高低

杂志被引半衰期、引用半衰期

杂志影响因子、被引次数

杂志发文量、期刊他引率

杂志平均引文率

微纳电子技术杂志文章分期部分汇总

  • β-Ga2O3欧姆接触的研究进展

    杨凯; 刁华彬; 赵超; 罗军
  • 柔性可延展电路中互连结构设计及布局优化

    王文惠; 潘开林; 龚似明; 范凯
  • 1,3-二巯基丙烷对聚合物/非富勒烯太阳电池的影响

    李想; 何志群; 梁春军
  • 中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部产品推介

  • 具有高击穿电压的AlN背势垒AlGaN/GaN/AlN HEMT材料

    王波; 高楠; 郭艳敏; 尹甲运; 张志荣; 袁凤坡; 房玉龙; 冯志红

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  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
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  • 期刊类别:科技

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