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Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability SCIE

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

较慢,6-12周 审稿时间

3区中科院分区

Q2JCR分区

2.5影响因子

1530-4388

1558-2574

IEEE T DEVICE MAT RE

UNITED STATES

工程技术 - 工程:电子与电气

2001

63

Quarterly

English

72

0.05

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期刊简介

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability(Ieee Transactions On Device And Materials Reliability)是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版的一本工程技术-工程:电子与电气学术刊物,主要报道工程技术-工程:电子与电气相关领域研究成果与实践。本刊已入选来源期刊,该刊创刊于2001年,出版周期Quarterly。2021-2022年最新版WOS分区等级:Q2,2023年发布的影响因子为2.5,CiteScore指数4.8,SJR指数0.436。本刊非开放获取期刊。

出版物的范围包括但不限于以下方面的可靠性:设备、材料、工艺、接口、集成微系统(包括 MEMS 和传感器)、晶体管、技术(CMOS、BiCMOS 等)、集成电路(IC、SSI、MSI、LSI、ULSI、ELSI 等)、薄膜晶体管应用。从概念阶段到研发再到制造规模,在每个阶段对这些实体的可靠性进行测量和理解,为成功将产品推向市场提供了设备、材料、工艺、封装和其他必需品的可靠性的整体数据库。这个可靠性数据库是满足客户期望的优质产品的基础。这样开发的产品具有高可靠性。高质量将实现,因为产品弱点将被发现(根本原因分析)并在最终产品中设计出来。这个不断提高可靠性和质量的过程将产生卓越的产品。归根结底,可靠性和质量不是一回事;但从某种意义上说,我们可以做或必须做一切事情来保证产品在客户条件下在现场成功运行。我们的目标是抓住这些进步。另一个目标是关注电子材料和设备可靠性的最新进展,并提供对影响可靠性的基本现象的基本理解。此外,该出版物还是可靠性跨学科研究的论坛。总体目标是提供前沿/最新信息,这些信息与可靠产品的创造至关重要。

中科院分区信息

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability2023年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 3区 3区
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability2022年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 3区 3区
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability2021年12月旧的升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 3区 3区
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability2021年12月基础版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability2021年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 3区 3区
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability2020年12月旧的升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 3区 4区
名词解释:

中科院JCR期刊分区(又称分区表、分区数据)是中国科学院文献情报中心世界科学前沿分析中心的科学研究成果。在中科院期刊分区表中,主要参考3年平均IF作为学术影响力,最终每个分区的期刊累积学术影响力是相同的,各区的期刊数量由高到底呈金字塔式分布。

JCR分区信息

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability(2023-2024年最新版数据)
按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 165 / 352
53.3%
学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 87 / 179
51.7%
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 186 / 354
47.6%
学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 99 / 179
44.97%
名词解释:

汤森路透每年出版一本《期刊引用报告》(Journal Citation Reports,简称JCR)。JCR对86000多种SCI期刊的影响因子(Impact Factor)等指数加以统计。JCR将收录期刊分为176个不同学科类别在JCR的Journal Ranking中,主要参考当年IF,最终每个分区的期刊数量是均分的。

期刊数据统计

1、Cite Score(2024年最新版)
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 65 / 207
68%
大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 274 / 797
65%
大类:Engineering 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 103 / 284
63%
名词解释:

CiteScore:该指标由Elsevier于2016年提出,指期刊发表的单篇文章平均被引用次数。CiteScorer的计算方式是:例如,某期刊2022年CiteScore的计算方法是该期刊在2019年、2020年和2021年发表的文章在2022年获得的被引次数,除以该期刊2019年、2020年和2021发表并收录于Scopus中的文章数量总和。

2、综合数据
3、本刊综合数据对比及走势

文章引用数据

文章名称 引用次数
  • A First-Principles Study of the SF6 Deco...

    23
  • Understanding BTI in SiC MOSFETs and Its...

    9
  • Comparative Thermal and Structural Chara...

    9
  • Output-Power Enhancement for Hot Spotted...

    8
  • Rapid Solder Interconnect Fatigue Life T...

    7
  • Study of Long Term Drift of Aluminum Oxi...

    7
  • Impacts of Process and Temperature Varia...

    6
  • Comparative Study of Reliability of Ferr...

    6
  • A Compact and Self-Isolated Dual-Directi...

    6
  • A Review on Hot-Carrier-Induced Degradat...

    6

期刊被引用数据

期刊名称 引用次数
  • IEEE T ELECTRON DEV

    127
  • IEEE T DEVICE MAT RE

    93
  • MICROELECTRON RELIAB

    88
  • IEEE ACCESS

    47
  • IEEE T NUCL SCI

    37
  • IEEE ELECTR DEVICE L

    36
  • IEICE ELECTRON EXPR

    35
  • IEEE T POWER ELECTR

    31
  • J MATER SCI-MATER EL

    31
  • ELECTRONICS-SWITZ

    30

期刊引用数据

期刊名称 引用次数
  • IEEE T ELECTRON DEV

    167
  • IEEE T NUCL SCI

    116
  • MICROELECTRON RELIAB

    100
  • IEEE T DEVICE MAT RE

    93
  • IEEE ELECTR DEVICE L

    69
  • APPL PHYS LETT

    59
  • J APPL PHYS

    44
  • IEEE T COMP PACK MAN

    24
  • IEEE J SOLID-ST CIRC

    23
  • IEEE T POWER ELECTR

    23

国家/地区发文数据

国家/地区名 数量
  • USA

    52
  • CHINA MAINLAND

    51
  • India

    50
  • Taiwan

    35
  • France

    20
  • Italy

    18
  • Belgium

    15
  • Austria

    14
  • Japan

    13
  • GERMANY (FED REP GER)

    12

机构发文数据

机构名 数量
  • INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (I...

    23
  • IMEC

    15
  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIF...

    14
  • STMICROELECTRONICS

    10
  • TECHNISCHE UNIVERSITAT WIEN

    9
  • NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY

    8
  • NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY

    8
  • COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES

    7
  • GLOBALFOUNDRIES

    7
  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES

    6

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