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Semiconductors

半导体 SCIE

Semiconductors

一般,3-6周 审稿时间

4区中科院分区

Q4JCR分区

0.6影响因子

1063-7826

1090-6479

SEMICONDUCTORS+

RUSSIA

物理 - 物理:凝聚态物理

1997

37

Monthly

English

90

0.28...

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期刊简介

半导体(Semiconductors)是一本由Pleiades Publishing出版的一本物理-物理:凝聚态物理学术刊物,主要报道物理-物理:凝聚态物理相关领域研究成果与实践。本刊已入选来源期刊,该刊创刊于1997年,出版周期Monthly。2021-2022年最新版WOS分区等级:Q4,2023年发布的影响因子为0.6,CiteScore指数1.5,SJR指数0.173。本刊非开放获取期刊。

发表前苏联国家半导体研究领域最重要的著作。涵盖半导体理论、半导体中的传输现象、半导体的光学、磁光和电光学、半导体激光器和半导体表面物理学。该期刊设有广泛的书评部分。

中科院分区信息

半导体2023年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
物理与天体物理 4区 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 4区
半导体2022年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
物理与天体物理 4区 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 4区
半导体2021年12月旧的升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
物理与天体物理 4区 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 4区
半导体2021年12月基础版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
物理 4区 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 4区
半导体2021年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
物理与天体物理 4区 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 4区
半导体2020年12月旧的升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
物理与天体物理 4区 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 4区
名词解释:

中科院JCR期刊分区(又称分区表、分区数据)是中国科学院文献情报中心世界科学前沿分析中心的科学研究成果。在中科院期刊分区表中,主要参考3年平均IF作为学术影响力,最终每个分区的期刊累积学术影响力是相同的,各区的期刊数量由高到底呈金字塔式分布。

JCR分区信息

Semiconductors(2023-2024年最新版数据)
按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 74 / 79
7%
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 74 / 79
6.96%
名词解释:

汤森路透每年出版一本《期刊引用报告》(Journal Citation Reports,简称JCR)。JCR对86000多种SCI期刊的影响因子(Impact Factor)等指数加以统计。JCR将收录期刊分为176个不同学科类别在JCR的Journal Ranking中,主要参考当年IF,最终每个分区的期刊数量是均分的。

期刊数据统计

1、Cite Score(2024年最新版)
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Materials Science 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q4 222 / 284
22%
大类:Materials Science 小类:Condensed Matter Physics Q4 340 / 434
21%
大类:Materials Science 小类:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q4 176 / 224
21%
名词解释:

CiteScore:该指标由Elsevier于2016年提出,指期刊发表的单篇文章平均被引用次数。CiteScorer的计算方式是:例如,某期刊2022年CiteScore的计算方法是该期刊在2019年、2020年和2021年发表的文章在2022年获得的被引次数,除以该期刊2019年、2020年和2021发表并收录于Scopus中的文章数量总和。

2、综合数据
3、本刊综合数据对比及走势

文章引用数据

文章名称 引用次数
  • Experimental Observation of Dyakonov Pla...

    9
  • Thick -Ga2O3 Layers on Sapphire Substrat...

    7
  • Crystallization of Amorphous Germanium F...

    6
  • Behavioral Features of MIS Memristors wi...

    5
  • Heterostructures of Single-Wavelength an...

    5
  • Microlens-Enhanced Substrate Patterning ...

    5
  • Proton Irradiation of 4H-SiC Photodetect...

    5
  • Microstructure and Optical Bandgap of Co...

    5
  • Discovery of III-V Semiconductors: Physi...

    5
  • Ultrasonic-Assisted Exfoliation of Graph...

    5

期刊被引用数据

期刊名称 引用次数
  • SEMICONDUCTORS+

    528
  • TECH PHYS LETT+

    87
  • J APPL PHYS

    55
  • PHYS SOLID STATE+

    54
  • TECH PHYS+

    45
  • SEMICOND SCI TECH

    44
  • MATER RES EXPRESS

    38
  • OPT SPECTROSC+

    37
  • PHYS REV B

    37
  • QUANTUM ELECTRON+

    34

期刊引用数据

期刊名称 引用次数
  • SEMICONDUCTORS+

    528
  • PHYS REV B

    482
  • APPL PHYS LETT

    460
  • J APPL PHYS

    363
  • PHYS REV LETT

    161
  • PHYS SOLID STATE+

    144
  • J CRYST GROWTH

    93
  • NANO LETT

    85
  • TECH PHYS LETT+

    81
  • THIN SOLID FILMS

    76

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