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Ieee Electron Device Letters

IEEE 电子器件字母 SCIE

Ieee Electron Device Letters

约1.3个月 审稿时间

2区中科院分区

Q2JCR分区

4.1影响因子

0741-3106

1558-0563

IEEE ELECTR DEVICE L

UNITED STATES

工程技术 - 工程：电子与电气

否

1980

135

Monthly

English

477

0.10...

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期刊简介

IEEE 电子器件字母(Ieee Electron Device Letters)是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版的一本工程技术-工程：电子与电气学术刊物，主要报道工程技术-工程：电子与电气相关领域研究成果与实践。本刊已入选来源期刊，该刊创刊于1980年，出版周期Monthly。2021-2022年最新版WOS分区等级：Q2，2023年发布的影响因子为4.1，CiteScore指数8.2，SJR指数1.25。本刊非开放获取期刊。

IEEE Electron Device Letters 发表与电子和离子集成电路器件和互连的理论、建模、设计、性能和可靠性有关的原创性和重要贡献，涉及绝缘体、金属、有机材料、微等离子体、半导体、量子效应结构、真空器件和新兴材料，应用于生物电子学、生物医学电子学、计算、通信、显示器、微机电学、成像、微执行器、纳米电子学、光电子学、光伏、功率集成电路和微传感器。

中科院分区信息

IEEE 电子器件字母2023年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 2区 否 否
IEEE 电子器件字母2022年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 2区 否 否
IEEE 电子器件字母2021年12月旧的升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 2区 否 否
IEEE 电子器件字母2021年12月基础版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 2区 否 否
IEEE 电子器件字母2021年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 2区 否 否
IEEE 电子器件字母2020年12月旧的升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 2区 否 否
名词解释：

中科院JCR期刊分区（又称分区表、分区数据）是中国科学院文献情报中心世界科学前沿分析中心的科学研究成果。在中科院期刊分区表中，主要参考3年平均IF作为学术影响力，最终每个分区的期刊累积学术影响力是相同的，各区的期刊数量由高到底呈金字塔式分布。

JCR分区信息

Ieee Electron Device Letters（2023-2024年最新版数据）
按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 94 / 352
73.4%
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q1 77 / 354
78.39%
名词解释：

汤森路透每年出版一本《期刊引用报告》（Journal Citation Reports，简称JCR）。JCR对86000多种SCI期刊的影响因子（Impact Factor）等指数加以统计。JCR将收录期刊分为176个不同学科类别在JCR的Journal Ranking中，主要参考当年IF，最终每个分区的期刊数量是均分的。

期刊数据统计

1、Cite Score（2024年最新版）
学科类别 分区 排名 百分位
大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering Q1 128 / 797
84%
大类：Engineering 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials Q1 51 / 284
82%
名词解释：

CiteScore：该指标由Elsevier于2016年提出，指期刊发表的单篇文章平均被引用次数。CiteScorer的计算方式是：例如，某期刊2022年CiteScore的计算方法是该期刊在2019年、2020年和2021年发表的文章在2022年获得的被引次数，除以该期刊2019年、2020年和2021发表并收录于Scopus中的文章数量总和。

2、综合数据
3、本刊综合数据对比及走势

文章引用数据

文章名称 引用次数
  • Enhancement-Mode Ga2O3 Vertical Transist...

    38
  • An Artificial Neuron Based on a Threshol...

    36
  • Recessed-Gate Enhancement-Mode beta-Ga2O...

    28
  • Spin Logic Devices via Electric Field Co...

    27
  • Current Aperture Vertical beta-Ga2O3 MOS...

    27
  • beta-Ga2O3 Delta-Doped Field-Effect Tran...

    26
  • Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes W...

    24
  • 1.85 kV Breakdown Voltage in Lateral Fie...

    24
  • Vertical Ga(2)O(3 )Schottky Barrier Diod...

    23
  • First Demonstration of a Logic-Process C...

    22

期刊被引用数据

期刊名称 引用次数
  • IEEE T ELECTRON DEV

    1587
  • IEEE ELECTR DEVICE L

    1317
  • JPN J APPL PHYS

    594
  • APPL PHYS LETT

    460
  • IEEE J ELECTRON DEVI

    445
  • APPL PHYS EXPRESS

    366
  • SEMICOND SCI TECH

    277
  • J APPL PHYS

    268
  • SOLID STATE ELECTRON

    257
  • ECS J SOLID STATE SC

    249

期刊引用数据

期刊名称 引用次数
  • IEEE ELECTR DEVICE L

    1317
  • IEEE T ELECTRON DEV

    865
  • APPL PHYS LETT

    812
  • J APPL PHYS

    318
  • ADV MATER

    217
  • NANO LETT

    150
  • ACS APPL MATER INTER

    142
  • SCI REP-UK

    138
  • NATURE

    132
  • APPL PHYS EXPRESS

    119

国家/地区发文数据

国家/地区名 数量
  • CHINA MAINLAND

    577
  • USA

    282
  • South Korea

    174
  • Taiwan

    123
  • Japan

    65
  • England

    60
  • India

    49
  • Belgium

    37
  • GERMANY (FED REP GER)

    37
  • France

    32

机构发文数据

机构名 数量
  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES

    84
  • UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM

    70
  • XIDIAN UNIVERSITY

    56
  • NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY

    49
  • HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNO...

    48
  • PEKING UNIVERSITY

    42
  • UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHN...

    42
  • INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (I...

    36
  • IMEC

    35
  • NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY

    35

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大类学科：

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影响因子：

0-1 1-2 2-3 3-4 4-5 5-6 6-7 7-8 9以上

中科院分区：

1区 2区 3区 4区

JCR分区：

Q1 Q2 Q3 Q4

免责声明

若用户需要出版服务，请联系出版商：IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。