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Microelectronics Reliability

微电子可靠性 SCIE

Microelectronics Reliability

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4区中科院分区

Q3JCR分区

1.6影响因子

0026-2714

1872-941X

MICROELECTRON RELIAB

ENGLAND

工程技术 - 工程:电子与电气

1964

80

Monthly

English

310

0.12...

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期刊简介

微电子可靠性(Microelectronics Reliability)是一本由Elsevier Ltd出版的一本工程技术-工程:电子与电气学术刊物,主要报道工程技术-工程:电子与电气相关领域研究成果与实践。本刊已入选来源期刊,该刊创刊于1964年,出版周期Monthly。2021-2022年最新版WOS分区等级:Q3,2023年发布的影响因子为1.6,CiteScore指数3.3,SJR指数0.394。本刊非开放获取期刊。

《微电子可靠性》致力于传播微电子设备、电路和系统可靠性的最新研究成果和相关信息,涵盖材料、工艺和制造、设计、测试和操作等各个方面。该期刊涵盖以下主题:测量、理解和分析;评估和预测;建模和仿真;方法和缓解。将可靠性与微电子工程其他重要领域(如设计、制造、集成、测试和现场操作)相结合的论文也将受到欢迎,并且特别鼓励报告该领域和特定应用领域案例研究的实践论文。

大多数被接受的论文将以研究论文的形式发表,描述重大进展和已完成的工作。回顾普遍感兴趣的重要发展主题的论文可能会被接受作为评论论文发表。更初步的紧急通讯和关于当前感兴趣的已完成实践工作的简短报告可能会被考虑作为研究笔记发表。所有投稿均需经过该领域顶尖专家的同行评审。

中科院分区信息

微电子可靠性2023年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区
微电子可靠性2022年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区
微电子可靠性2021年12月旧的升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区
微电子可靠性2021年12月基础版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区
微电子可靠性2021年12月升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区
微电子可靠性2020年12月旧的升级版
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区
名词解释:

中科院JCR期刊分区(又称分区表、分区数据)是中国科学院文献情报中心世界科学前沿分析中心的科学研究成果。在中科院期刊分区表中,主要参考3年平均IF作为学术影响力,最终每个分区的期刊累积学术影响力是相同的,各区的期刊数量由高到底呈金字塔式分布。

JCR分区信息

Microelectronics Reliability(2023-2024年最新版数据)
按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 239 / 352
32.2%
学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 113 / 140
19.6%
学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 131 / 179
27.1%
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 272 / 354
23.31%
学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 114 / 140
18.93%
学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 140 / 179
22.07%
名词解释:

汤森路透每年出版一本《期刊引用报告》(Journal Citation Reports,简称JCR)。JCR对86000多种SCI期刊的影响因子(Impact Factor)等指数加以统计。JCR将收录期刊分为176个不同学科类别在JCR的Journal Ranking中,主要参考当年IF,最终每个分区的期刊数量是均分的。

期刊数据统计

1、Cite Score(2024年最新版)
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 83 / 207
60%
大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 395 / 797
50%
大类:Engineering 小类:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q3 118 / 224
47%
大类:Engineering 小类:Condensed Matter Physics Q3 230 / 434
47%
大类:Engineering 小类:Surfaces, Coatings and Films Q3 74 / 132
44%
大类:Engineering 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q3 161 / 284
43%
名词解释:

CiteScore:该指标由Elsevier于2016年提出,指期刊发表的单篇文章平均被引用次数。CiteScorer的计算方式是:例如,某期刊2022年CiteScore的计算方法是该期刊在2019年、2020年和2021年发表的文章在2022年获得的被引次数,除以该期刊2019年、2020年和2021发表并收录于Scopus中的文章数量总和。

2、综合数据
3、本刊综合数据对比及走势

文章引用数据

文章名称 引用次数
  • Comphy - A compact-physics framework for...

    25
  • An improved unscented particle filter ap...

    25
  • Threshold voltage peculiarities and bias...

    21
  • Identification of oxide defects in semic...

    16
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    13
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    13
  • A review of NBTI mechanisms and models

    12
  • New dynamic electro-thermo-optical model...

    12
  • Measurement considerations for evaluatin...

    11
  • Border traps and bias-temperature instab...

    10

期刊被引用数据

期刊名称 引用次数
  • MICROELECTRON RELIAB

    512
  • IEEE T ELECTRON DEV

    235
  • J MATER SCI-MATER EL

    205
  • IEEE ACCESS

    197
  • IEEE T COMP PACK MAN

    120
  • IEEE T POWER ELECTR

    120
  • J ELECTRON MATER

    103
  • J ALLOY COMPD

    101
  • IEEE T DEVICE MAT RE

    100
  • ENERGIES

    87

期刊引用数据

期刊名称 引用次数
  • MICROELECTRON RELIAB

    512
  • IEEE T NUCL SCI

    360
  • IEEE T ELECTRON DEV

    270
  • J APPL PHYS

    142
  • APPL PHYS LETT

    135
  • IEEE T POWER ELECTR

    120
  • IEEE ELECTR DEVICE L

    101
  • IEEE T COMP PACK MAN

    98
  • J ELECTRON MATER

    93
  • IEEE T DEVICE MAT RE

    88

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