《Journal of Semiconductors》杂志(CN:11-5781/TN)内容丰富、思想健康,1980年创刊,目前以月刊形式发行,刊物对外积极扩大宣传,致力于提高杂志质量与影响。杂志是一本由中国科学院半导体研究所和中国电子学会共同主办的国际学术期刊,该期刊致力于发表关于半导体科学与技术领域的原创研究成果,涵盖半导体材料、器件和技术等多个学科领域。
期刊内容广泛,包括杂质与缺陷物理、半导体物理、半导体器件与集成电路、量子器件与技术、光电子学与光器件、纳米杂质与缺陷、半导体生长与制备等。其目标是推动半导体科学和技术的发展,为学术界和工业界的研究人员提供一个交流和合作的平台。
《Journal of Semiconductors》已被多个国际权威数据库收录,如SCIE(Science Citation Index Expanded)、EI(Engineering Index)、CA(Chemical Abstracts)等,显示了其在学术界的重要地位和影响力。期刊的影响因子在2023年达到了4.8,表明其发表的论文具有较高的学术水平和引用率。
此外,该期刊还注重理论与实践的结合,积极推动半导体科学的前沿研究和工业应用。它拥有一支由国内外知名学者组成的编委会,确保了论文的学术水平和质量。通过发表基础科学研究和工程技术成果,该期刊为读者提供了深入了解半导体技术和应用的机会。
研究快报、研究论文、研究简报、技术进展
①内容摘要与作者单位全称间空2-3行,要求摘要内容言简意赅,严谨活泼,体现全文主题思想之精髓,不是文中某段落某句话的重复摘录。
②文稿应具有先进性、科学性、实用性和逻辑性。论点明确,资料可靠,数据准确,层次清楚,文字精炼,图表简明,统计学处理方法正确、规范。
③来稿应主题突出、论点明确、论据可靠、数据准确、语言精练,具有创新性。
④引用国际组织机构报告时,应标明机构名,报告名,编号,第几页或第几段,但联大决议和安理会决议等可略去机构名和报告名,直接在UN Doc.后标出文件编号。
⑤中文题名一般不超过20个汉字,必要时可加副题名,应避免使用非公知公用的缩略语、字符、代号以及结构式和公式。
⑥文稿作者署名人数一般不超过5人,作者单位不超过3个。第一作者须附简介,包括工作单位、地址、邮编、年龄、性别、民族、学历、职称、职务;其它作者附作者单位、地址和邮编。
⑦数字请按国家标准GB/T15835-1995《出版物上数字用法的规定》书写。计量单位按我国法定计量单位、国际单位的计量单位名称与符号表示,生化指标按国际单位制。
⑧参考文献采用尾注实引方式,凡是引用他人的观点、理论及数据必须按顺序标注出来,文后的文献排列顺序与文中对应。
⑨稿件中的注释请以脚注形式在当页页脚标出。引用报刊资料,请注明作者姓名、文章标题、刊名、刊期;引用书籍资料,请注明作者姓名、书名、出版社、出版时间和页码;引用互联网资料,请注明作者姓名、文献名、网址和时间。
⑩项目背景和目标:在文章中清晰地介绍基金项目的背景和目标。说明该项目所属的研究领域以及解决的具体问题。
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