摘要：采用silvaco-TCAD研究In0.53Ga0.47As/InP SAGCM-APD光电探测器,对探测器的结构参数对器件的电场分布、击穿电压和贯穿电压的影响进行仿真分析.研究表明电荷层对器件内部电场起到更好的调节作用,但过高的电荷层面密度会导致APD探测器的击穿电压与贯穿电压之差减小.倍增层厚度的增加使击穿电压先减小后增高,贯穿电压线性增加,同时耗尽层宽度变大,使器件电容减小.当倍增区厚度1μm、偏压为-5V时,器件电容密度达到了4.5×10-17F/μm.反向偏置电压为30V时,APD探测器在1.31μm和1.55μm波长下的响应度分别达到1A/W和1.1A/W.