半导体信息杂志论文格式要求：
①参考文献的序号左顶格，并用数字加方括号表示，与正文中的引文标示一致，如[1]，[2]……。每一条参考文献著录均以“.”结束。
②摘要应包括目的、方法、结果和结论四个部分，其中中文摘要约300字，英文摘要约600-800字。关键词2至5个（中英文）。
③第一作者及通讯作者（一般为导师）简介（包括姓名、性别、职称、出生年月、所获学位、目前主要从事的工作和研究方向）。
④如论文属于基金项目，需注明基金项目类别、项目名称及编号，多个项目间以“、”分隔。格式如下：基金名称“项目名称”(项目编号)。
⑤所有来稿均要求为原创首发作品，拒绝一稿多投。严禁抄袭，一旦发现抄袭行为，本社将严肃处理。
半导体信息杂志往年文章平均引文率
半导体信息杂志往年文章摘录
台达公司使用高压GaN FET将电源尺寸缩小25%
雷神公司宣布在新生产的GEM-T拦截器中使用GaN发射器芯片
光电化学蚀刻可用于制造氮化镓中高纵横比深沟槽
高电子迁移率的磁感应氮化镓晶体管
集成SiC SBD的6.5kV全SiC MOSFET功率模块
力特公司推出首款1700V SiC MOSFET
提高车载充电器效率 英飞凌推首款车用碳化硅产品
英飞凌推出新型950V CoolMOS P7超结MOSFET器件
埃赋隆半导体推出大功率坚固型BLF189XRA RF功率晶体管
Integra公司推出用于敌我识别器航空电子设备的射频和微波晶体管
