半导体技术杂志论文格式要求:
①摘要应全面概括论文的主要内容,明确反映作者的主要观点,不能仅仅笼统地介绍论文的思路和结构,避免使用“本文主张”“笔者认为”等评价方式。关键词应为反映论文核心内容的专业术语,一般3至5个。
②请勿一稿多投。三个月内未收到我刊回复,作者即可自行处理。因人手紧张,恕不退稿,请自留底稿。
③本刊保留对来稿进行修改的及对已刊用稿件在本刊网站上发表的权利,不同意者请预先声明。
④注解:对正文特定内容的解释与说明,用圈码标引,在当页下注文,每页单独编码。
⑤以“参考文献”(左顶格)作为标志,不分文献类别不加编号,顺序排列。中文参考文献在前,按拼音顺序排列;英文参考文献在后,按字母顺序排列。
半导体技术杂志往年文章平均引文率
半导体技术杂志往年文章摘录
基于喷墨打印的In2O3/IGZO TFT的电学性能
双沟道脊波导InGaAsP/InGaAsP半导体激光器的温度分布仿真
基于Statz模型的射频MOSFET非线性电容建模
n型双面TOPCon太阳电池钝化技术
图形化蓝宝石衬底表面原位处理对GaN外延薄膜的影响
Co3O4-ZnO p-n异质结构低温丙酮气体传感器
富铟磷化铟晶体中铟夹杂物基体特征分析
先进电子器件封装中键合引线的电磁特性
基于Elman神经网络模型的IGBT寿命预测